Tại cuộc thi Intel International Science & Engineering Fair vừa diễn ra do tậpđoàn Intel tổ chức, nữ sinh 18 tuổi Eesha Khare đã giành được giải nhìvới danh hiệu Intel Foundation Young Scientist Award nhờ phát minh hết sức độcđáo.
Khare đã sáng tạo ra công nghệ pin mới có tích hợp một thành phầnđặc biệt, nhờ đó khi sạc điện thoại di động, người dùng chỉ mất… 30 giây hoặcthậm chí ít hơn.
Với phát minh kể trên, nữ sinh 18 tuổi đã xứng đáng giành được số tiềnthưởng lên tới 50.000 USD từ nhà tổ chức.
Phía Intel kỳ vọng sáng chế của Khare có thể ứng dụng hiệu quả cho pin xehơi trong tương lai.
Giải nhất tại cuộc thi nói trên trị giá 75.000 USD đã thuộc về một namsinh 19 tuổi nhờ phát minh mới của cậu có liên quan tới công nghệ tự lái xehơi./.
Khare đã sáng tạo ra công nghệ pin mới có tích hợp một thành phầnđặc biệt, nhờ đó khi sạc điện thoại di động, người dùng chỉ mất… 30 giây hoặcthậm chí ít hơn.
Với phát minh kể trên, nữ sinh 18 tuổi đã xứng đáng giành được số tiềnthưởng lên tới 50.000 USD từ nhà tổ chức.
Phía Intel kỳ vọng sáng chế của Khare có thể ứng dụng hiệu quả cho pin xehơi trong tương lai.
Giải nhất tại cuộc thi nói trên trị giá 75.000 USD đã thuộc về một namsinh 19 tuổi nhờ phát minh mới của cậu có liên quan tới công nghệ tự lái xehơi./.
Văn Hưng (Vietnam+)