Mỹ phạt tù một nhà khoa học Trung Quốc vì hành vi đánh cắp công nghệ

Hongjin Tan, 36 tuổi, công dân Trung Quốc và có quy chế thường trú nhân ở Mỹ, bị bắt giữ vào tháng 12/2018 và đã nhận tội hồi tháng 11/2019.
Mỹ phạt tù một nhà khoa học Trung Quốc vì hành vi đánh cắp công nghệ ảnh 1Bộ Tư pháp Mỹ. (Nguồn: AFP)

Ngày 27/2, một nhà khoa học Trung Quốc đã bị tuyên phạt 2 năm tù giam vì tội đánh cắp công nghệ pin thế hệ mới từ một công ty năng lượng của Mỹ, nơi ông này từng làm việc.

Hongjin Tan, 36 tuổi, công dân Trung Quốc và có quy chế thường trú nhân ở Mỹ, bị bắt giữ vào tháng 12/2018 và đã nhận tội hồi tháng 11/2019.

Thẩm phán Gregory Frizzell của Tòa án quận Northern, thành phố Oklahoma đã tuyên phạt Hongjin Tan 24 tháng tù giam và bồi thường 150.000 USD cho chủ của công ty năng lượng mà ông này từng làm việc.

[Trung Quốc kết án tù nhà khoa học chỉnh sửa gene người]

Bộ Tư pháp Mỹ cho biết giá trị thị trường của công nghệ pin thế hệ mới mà Hongjin Tan đánh cắp lên tới hơn 1 tỷ USD.

Mặc dù Bộ Tư pháp Mỹ không tiết lộ thông tin về doanh nghiệp bị đánh cắp bí mật, song trang LinkedIn cá nhân của Hongjin Tan cho thấy ông này từng là nhà khoa học làm việc trong nhóm nghiên cứu và phát triển công nghệ đã bị giải thể của công ty năng lượng đa quốc gia Phillips 66 ở Oklahoma.

Ông này trước đó cũng từng là trợ lý nghiên cứu và thực tập nghiên cứu tại Viện Công nghệ California, nơi ông này đã tốt nghiệp bằng tiến sỹ./.

(TTXVN/Vietnam+)

Tin cùng chuyên mục

Ông Khamkhan Chanthavisouk, Ủy viên Trung ương Đảng Nhân dân Cách mạng Lào, Bí thư, Tỉnh trưởng tỉnh Luang Prabang (đứng thứ 4 từ bên phải) chụp ảnh lưu niệm cùng Đoàn đại biểu Ban tổ chức Giải Viettel Marathon chặng Lào.

Luang Prabang sẵn sàng cho giải chạy Viettel Marathon 2024

Lần đầu tiên Luang Prabang tổ chức một giải chạy đường bằng có cự ly 42,195km, nên ngoài thách thức thì đây cũng là điểm nhấn để giải chạy trở thành sự kiện quảng bá đến bạn bè quốc tế.